SYSTEMS AND METHODS OF PROCESSING SUBSTRATES

Some embodiments provide methods of processing wafers comprising: positioning a stacked wafer into a position to be ground, wherein the stacked wafer comprises a first wafer secured with a carrier-wafer, wherein the first wafer is secured with the carrier-wafer such that a surface of the first wafer...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SPIEGEL, LARRY A, WALSH, THOMAS A, VOGTMANN, MICHAEL R, SMEDLEY, BENJAMIN C, BRAKE, THOMAS E, KALENIAN, WILLIAM J
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Some embodiments provide methods of processing wafers comprising: positioning a stacked wafer into a position to be ground, wherein the stacked wafer comprises a first wafer secured with a carrier-wafer, wherein the first wafer is secured with the carrier-wafer such that a surface of the first wafer is exposed to be ground; initiating a grinding of the first wafer while supported by the carrier-wafer; activating one or more sensors relative to the first wafer while grinding the first wafer; determining, while grinding the first wafer, a thickness of the first wafer separate from a thickness of the carrier-wafer as a function of data from the one or more sensors; determining whether the determined thickness of the first wafer has a predefined relationship with a first thickness threshold; and halting the wafer grinding when the thickness of the first wafer has the predefined relationship with the first thickness threshold. Modes de réalisation concernant des procédés de traitement de plaquettes, comprenant : le positionnement d'une plaquette empilée dans une position permettant la rectification, où la plaquette empilée comprend une première plaquette fixée à l'aide d'un support de plaquette, de sorte qu'une surface de la première plaquette est exposée de manière à être rectifiée ; le lancement d'une rectification de la première plaquette supportée par le support de plaquette ; l'activation d'un ou de plusieurs capteurs par rapport à la première plaquette lors de la rectification de celle-ci ; la définition, lors de la rectification de la première plaquette, d'une épaisseur de celle-ci distincte d'une épaisseur du support de plaquette en fonction de données provenant d'un ou de plusieurs capteurs ; le fait de déterminer si l'épaisseur déterminée de la première plaquette présente une relation prédéfinie avec un premier seuil d'épaisseur ; et l'arrêt de la rectification de la plaquette lorsque l'épaisseur de la première plaquette présente la relation prédéfinie avec le premier seuil d'épaisseur.