ZERO SHRINKAGE SMOOTH INTERFACE OXY-NITRIDE AND OXY-AMORPHOUS-SILICON STACKS FOR 3D MEMORY VERTICAL GATE APPLICATION

Methods are provided for depositing a stack of film layers for use in vertical gates for 3D memory devices, by depositing a sacrificial nitride film layer at a sacrificial film deposition temperature greater than about 550 °C; depositing an oxide film layer over the nitride film layer, at an oxide deposition temperature of about 600 °C. or greater; repeating the above steps to deposit a film stack having alternating layers of the sacrificial films and the oxide films; forming a plurality of holes in the film stack; and depositing polysilicon in the plurality of holes in the film stack at a polysilicon process temperature of about 700 °C. or greater, wherein the sacrificial film layers and the oxide film layers experience near zero shrinkage during the polysilicon deposition. Flash drive memory devices may also be made by these methods. La présente invention concerne des procédés pour le dépôt d'un empilement de couches de film destiné à être utilisé dans des portes verticales pour dispositifs de mémoire tridimensionnelle, par le dépôt d'une couche sacrificielle de film de nitrure à une température de dépôt de film sacrificiel supérieure à environ 550°C ; le dépôt d'un film d'oxyde sur la couche de film de nitrure, à une température de dépôt d'oxyde d'environ au moins 600°C ; la répétition des étapes susmentionnées pour le dépôt d'un empilement de films comprenant des couches alternées de films sacrificiels et de films d'oxyde ; la formation d'une pluralité de trous dans l'empilement de films ; et le dépôt de silicium polycristallin dans la pluralité de trous dans l'empilement de films à une température de traitement de silicium polycristallin d'environ au moins 700°C, les couches de films sacrificiels et les couches de films d'oxyde étant soumises à un retrait nul lors du dépôt de silicium polycristallin. Ces procédés peuvent également être utilisés pour la fabrication de dispositifs à disques à mémoire flash.