PHOTOLITHOGRAPHY MASK SYNTHESIS FOR SPACER PATTERNING

Photolithography mask synthesis is disclosed for spacer patterning masks. In one example, backbone features are extracted from a target layout of a mask design. A connectivity graph is generated based on the target layout in which lines of the backbone features are represented as nodes on the connectivity graph. The nodes are connected based on spacer patterning process limitations and the connections are assigned to sets. A backbone mask layout is then generated based on one of the sets of nodes. La présente invention se rapporte à une synthèse de masque de photolithographie pour la réalisation de masques de formation de motifs d'élément d'espacement. Selon un exemple, des caractéristiques structurelles sont extraites d'un agencement cible d'une conception de masque. Un graphe de connectivité est généré sur la base de l'agencement cible, les lignes des caractéristiques structurelles étant représentées sous la forme de noeuds sur le graphe de connectivité. Les noeuds sont raccordés sur la base des limitations de procédé de réalisation de motifs d'élément d'espacement et les connexions sont affectées à des ensembles. Un agencement de masque structurel est ensuite généré sur la base de l'un des ensembles de noeuds.