METHOD FOR DETERMINING THE QUALITY OF A SILICON WAFER

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Qualitätsermittlung eines zur Herstellung eines Halbleiterbauelements zu prozessierenden Siliciumwafers mit bereichsweise monokristallinem Anteil. Um eine Vorhersage der zu erwartenden Performance des Halbleiterbauelementes zu ermöglichen, wird vorges...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	LEMKE, CHRISTIAN, HENDRICKS, ANDREAS, BIRKMANN, BERNHARD, SIEGMUND, SEBASTIAN, SEIDL, ALBRECHT
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MEASURING PHYSICS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Qualitätsermittlung eines zur Herstellung eines Halbleiterbauelements zu prozessierenden Siliciumwafers mit bereichsweise monokristallinem Anteil. Um eine Vorhersage der zu erwartenden Performance des Halbleiterbauelementes zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass bei der Qualitätsermittlung ein flächenmäßiger Anteil des monokristallinen Bereichs berücksichtigt wird. The invention relates to a method for determining the quality of a silicon wafer having a monocrystalline share in regions; the silicon wafer is to be processed for producing a semiconductor component. In order to enable a prediction of the performance to be expected of the semiconductor component, the invention states that a share of the surface of the monocrystalline region is considered when determining the quality. L'invention concerne un procédé de détermination de la qualité d'une tranche de silicium à traiter pour produire un composant à semi-conducteur ayant une partie par endroits monocristalline. Afin de pouvoir prédire les performances à attendre du composant à semi-conducteur, il est proposé de tenir compte d'une fraction de l'aire de surface de la zone monocristalline lors de la détermination de la qualité.