IMPROVED INTERFACE BETWEEN A I/III/VI2 LAYER AND A BACK CONTACT LAYER IN A PHOTOVOLTAIC CELL

The invention relates to a process for manufacturing a I/III/VI2 layer having photovoltaic properties, comprising: depositing a metal on a substrate in order to form a contact layer; depositing a precursor of the photovoltaic layer on the contact layer; and carrying out a heat treatment on the precursor while supplying the Group VI element in order to form the I/III/VI2 layer. The Group VI element customarily diffuses into the contact layer (MO) during the heat treatment and combines with the metal to form a surface layer (SUP) on the contact layer. In the process of the invention the metal deposition comprises a step in which an additional element is added to the metal in order to form a compound (MO-EA) in the contact layer, this compound acting as a barrier to diffusion of the Group VI element, thereby making it possible to closely control the properties, especially the thickness, of the surface layer. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche I-III-VI2 à propriétés photovoltaïques, comportant : - le dépôt sur un substrat d'un métal pour former une couche de contact, - le dépôt d'un précurseur de la couche photovoltaïque, sur la couche de contact, et - un traitement thermique du précurseur avec un apport en élément VI pour former la couche I-III-VI2. L'élément VI diffuse habituellement pendant le traitement thermique dans la couche de contact (MO) et se combine avec le métal pour former une couche superficielle (SUP) sur la couche de contact. Dans le procédé de l'invention, le dépôt de métal comprend une étape pendant laquelle un élément additionnel est ajouté au métal pour former un composé (MO-EA), dans la couche de contact, jouant le rôle de barrière de diffusion à l'élément VI, ce qui permet de contrôler finement les propriétés de la couche superficielle, notamment son épaisseur.