METHOD OF INTEGRATING A PLURALITY OF BENZOCYCLOBUTENE LAYERS WITH A SUBSTRATE AND AN ASSOCIATED DEVICE

A method of integrating benzocyclobutene (BCB) layers with a substrate is provided along with a corresponding device. A method includes forming a first BCB layer (18a) on the substrate (12) and depositing a first metal layer (20a) on the first BCB layer (18a) and within vias defined by the first metal layer (20a). The method also forms a second BCB layer (18b) on the first metal layer (20a) and deposits a second metal layer (20b) on the second BCB layer (18b) and within vias defined by the second metal layer (20b). The second metal layer (20b) extends through the vias defined by the second metal layer (20b) to establish an operable connection with the first metal layer (20a). The first and second metal layers (20a, 20b) are independent of an electrical connection to any circuit element carried by the substrate (1w), but the first and second metal layers (20a, 20b) secure the second BCB layer (18b) to the underlying structure and reduce the likelihood of delamination. L'invention concerne un procédé consistant à intégrer des couches de benzocyclobutène (BCB) avec un substrat ainsi qu'un dispositif correspondant. Ce procédé consiste à former une première couche de BCB (18a) sur le substrat (12) et à déposer une première couche de métal (20a) sur la première couche de BCB (18a) et dans des interconnexions définies par la première couche de métal (20a). Le procédé forme aussi une seconde couche de BCB (18b) sur la première couche de métal (20a) et dépose une seconde couche de métal (20b) sur la seconde couche de BCB (18b) et dans des interconnexions définies par la seconde couche de métal (20b). La seconde couche de métal (20b) s'étend à travers les interconnexions définies par la seconde couche de métal (20b) pour établir une connexion fonctionnelle avec la première couche de métal (20a). Les première et seconde couches de métal (20a, 20b) sont indépendantes d'une connexion électrique à tout élément de circuit porté par le substrat (1w), mais les première et seconde couches de métal (20a, 20b) fixent la seconde couche de BCB (18b) à la structure sous-jacente et réduisent la probabilité de déstratification.