SCINTILLATOR PACK COMPRISING AN X-RAY ABSORBING ENCAPSULATION AND X-RAY DETECTOR ARRAY COMPRISING SUCH SCINTILLATOR PACK

A scintillator pack (2) and a CT X-ray detector array (1) comprising such scintillator pack (2) are proposed. The scintillator pack (2) comprises an array of scintillator pixels (3). At a bottom surface (31) of each scintillator pixel (3), an X-ray absorbing encapsulation(13) is provided. This encap...

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Hauptverfasser: GOSHEN, RAFAEL, DE LAAT, ANTONIUS WILHELMUS MARIA, LIJTEN, GERARDUS FRANCISCUS CORNELIS MARIA, LEVENE, SIMHA, VAN VEEN, NICOLAAS JOHANNES ANTHONIUS, GREGORIAN, LEV
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A scintillator pack (2) and a CT X-ray detector array (1) comprising such scintillator pack (2) are proposed. The scintillator pack (2) comprises an array of scintillator pixels (3). At a bottom surface (31) of each scintillator pixel (3), an X-ray absorbing encapsulation(13) is provided. This encapsulation(13) comprises an electrically insulating highly X-ray absorbing material having an atomic number greater than 60 such as, for example, Bismuth oxide (Bi2O3 ). The X-ray absorbing encapsulation(13) is interposed between the scintillator pixels (3) and an electronic circuit (19). The electronic circuit (19) may be provided as an ASIC in CMOS technology and may therefore be sensitive to X-ray induced damage. The encapsulation(13) provides for good X-ray protection of such electronic circuit (19). La présente invention porte sur un bloc de scintillateur (2) et un réseau de détecteurs de rayons X de tomodensimétrie (1) comprenant un tel bloc de scintillateur (2). Le bloc de scintillateur (2) comprend un réseau de pixels de scintillateur (3). A une surface inférieure (31) de chaque pixel de scintillateur (3) est disposée une encapsulation d'absorption de rayons X (13). Cette encapsulation (13) comprend une matière hautement absorbante de rayons X électriquement isolante ayant un numéro atomique supérieur à 60 telle que, par exemple l'oxyde de bismuth (Bi2O3). L'encapsulation d'absorption de rayons X (13) est interposée entre les pixels de scintillateur (3) et un circuit électronique (19). Le circuit électronique (19) peut être fournit en tant que circuit intégré à application spécifique (ASIC) dans une technologie de semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire et peut ainsi être sensible vis-à-vis d'un endommagement induit par des rayons X. L'encapsulation (13) fournit une bonne protection vis-à-vis de rayons X d'un tel circuit électronique (19).