ETCH RATE DETECTION FOR REFLECTIVE MULTI-MATERIAL LAYERS ETCHING

A method and apparatus for etching a photomask substrate with enhanced process monitoring, for example, by providing for optical monitoring at different regions of the photomask to obtain desired etch rate or thickness loss is provided. In one embodiment, the method includes performing an etching process on a reflective multi-material layer that includes at least one molybdenum layer and one silicon layer through a patterned mask, directing radiation having a wavelength from about 170 nm and about 800 nm to an area of the multi-material layer uncovered by the patterned mask, collecting an optical signal reflected from the area uncovered by the patterned mask, analyzing a waveform obtained from the reflected optical signal, and determining a first endpoint of the etching process when an intensity of the reflected optical signal is between about 60 percent and about 90 percent less than an initial reflected optical signal. Procédé et appareil permettant d'attaquer un substrat photomasque, avec une surveillance améliorée du processus, par exemple en fournissant une surveillance optique dans différentes zones du photomasque pour obtenir une vitesse d'attaque ou une perte d'épaisseur désirés. Dans un mode de réalisation, ledit procédé consiste à réaliser un processus d'attaque sur une couche réfléchissante multimatériau qui comprend au moins une couche de molybdène et une couche de silicium, à travers un masque à motifs, à orienter le rayonnement ayant une longueur d'onde située entre environ 170 nm et environ 800 nm vers une zone de la couche multimatériau qui n'est pas couverte par le masque à motifs, à recueillir un signal optique réfléchi par la zone non couverte par le masque à motifs, à analyser une forme d'onde obtenue à partir du signal optique réfléchi et à déterminer un premier point terminal du processus d'attaque lorsque l'intensité du signal optique réfléchi a diminé d'environ 60 pour cent à environ 90 pour cent par rapport à celle du signal optique réfléchi initial.