FLIP CHIP BONDING DEVICE

This flip chip bonding device is provided with a dispenser unit that supplies and applies a bonding auxiliary agent on each electrode on a substrate. When metal bonding between a first electrode and a second electrode is carried out by ultrasonic bonding between metals that include at least copper, a copper oxide film that has already formed on the bonding interface of the first electrode and second electrode can be eliminated and the formation of oxide films in the bonding interface with the implementation of ultrasonic bonding can be inhibited by carrying out ultrasonic bonding in a state where a bonding auxiliary agent that has reductive properties is present at least around the bonding interface of the first electrode and second electrode. Bonding between metals that contain at least copper can be achieved while assuring the required bonding strength, and costs can be reduced in mounting semiconductor elements and manufacturing substrates on which those semiconductor elements are installed. La présente invention se rapporte à un dispositif de connexion par billes qui est pourvu d'une unité de distribution qui fournit et applique un agent auxiliaire de connexion sur chaque électrode sur un substrat. Lorsqu'une liaison métallique entre une première électrode et une seconde électrode est effectuée par un soudage par ultrasons entre les métaux qui comprennent au moins le cuivre, un film d'oxyde de cuivre qui a déjà été formé sur l'interface de liaison de la première électrode et de la seconde électrode, peut être supprimé et la formation des films d'oxyde dans l'interface de liaison avec la mise en oeuvre d'un soudage par ultrasons peut être entravée par la réalisation d'un soudage par ultrasons dans un état dans lequel un agent auxiliaire de liaison qui présente des propriétés réductrices, est présent au moins autour de l'interface de liaison de la première électrode et de la seconde électrode. La liaison entre les métaux qui contiennent au moins le cuivre, peut être réalisée tout en assurant une résistance de liaison nécessaire et les coûts peuvent être réduits lors du montage des éléments semi-conducteurs et de la fabrication des substrats sur lesquels sont installés ces éléments semi-conducteurs.