CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING A REFERENCE LEVEL FOR A MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT

A method of establishing a reference level includes providing first and second non-overlapping paths from a first node to a second node, providing first and second reference magnetic random access memory (MRAM) elements in the first path, providing third and fourth reference MRAM elements in the second path, measuring a first value indicative of a resistance between the first node and the second node, and setting the reference level based at least in part on the measured value. Also an associated reference circuit. Le procédé selon l'invention consistant à établir un niveau de référence consiste à produire des premier et second chemins qui ne se chevauchent pas d'un premier noeud à un second noeud, à produire des premier et deuxième éléments mémoire vive magnétique (MRAM) de référence dans le premier chemin, à produire des troisième et quatrième éléments MRAM de référence dans le second chemin, à mesurer une première valeur indicative d'une résistance entre le premier noeud et le second noeud, et à définir le niveau de référence au moins en partie sur la base de la valeur mesurée. L'invention concerne aussi un circuit de référence associé.