ATOMIC LAYER DEPOSITION OF FILMS USING PRECURSORS CONTAINING HAFNIUM OR ZIRCONIUM

Provided are low temperature methods of depositing hafnium or zirconium containing films using a Hf(BH4)4 precursor, or Zr(BH4)4 precursor, respectively, as well as a co-reactant. The co-reactant can be selected to obtain certain film compositions. Co-reactants comprising an oxidant can be used to deposit oxygen into the film. Accordingly, also provided are films comprising a metal, boron and oxygen, wherein the metal comprises hafnium where a Hf(BH4)4 precursor is used, or zirconium, where a Zr(BH4)4 precursor is used. La présente invention concerne des procédés de dépôt à basse température de films contenant du hafnium ou du zirconium, respectivement au moyen d'un précurseur de Hf(BH4)4 ou d'un précurseur de Zr(BH4)4 et d'un coréactif. Le coréactif peut être sélectionné de façon à obtenir des compositions de film particulières. Les coréactifs comprenant un oxydant peuvent être utilisés pour déposer de l'oxygène dans le film. En conséquence, l'invention concerne également des films comprenant un métal, du bore et de l'oxygène, le métal comprenant du hafnium quand un précurseur de Hf(BH4)4 est utilisé ou du zirconium quand un précurseur de Zr(BH4)4 est utilisé.