SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME

This sputtering target uses a magnesium oxide sintered body having a purity of at least 99.99% or a purity of at least 99.995%, in terms of mass %, a relative density of at least 98%, and an average crystal grain size of not more than 8 mum. The sputtering target preferably has an average crystal grain size of not more than 5 mum, and further, an average crystal grain size of not more than 2 mum. By using the sputtering target, a sputter film having excellent insulation resistance and homogeneity can be obtained. La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation qui utilise un corps fritté en oxyde de magnésium qui présente une pureté d'au moins 99,99 % ou une pureté d'au moins 99,995 %, en termes de % en masse, une densité relative d'au moins 98 % et une taille moyenne des grains cristallins inférieure ou égale à 8 mum. La cible de pulvérisation présente de préférence une taille moyenne des grains cristallins inférieure ou égale à 5 mum et, en outre, une taille moyenne des grains cristallins inférieure ou égale à 2 mum. A l'aide de la cible de pulvérisation, on peut obtenir un film de pulvérisation qui présente une excellente résistance d'isolement et une excellente homogénéité.