METHOD FOR ETCHING EUV REFLECTIVE MULTI-MATERIAL LAYERS UTILIZED TO FORM A PHOTOMASK

A method and apparatus for etching photomasks are provided herein. In one embodiment, a forming gas use utilized to remove a mask layer utilized film stack having a multi-material layer having at least two different materials. In another embodiment, a method of etching a multi-material layer disposed on a photomask includes providing a film stack in an etching chamber, the film stack having a multi-material layer having at least two different materials disposed therein partially exposed through a patterned layer, providing a gas mixture including at least one fluorine containing gas and an oxygen containing gas in to a processing chamber, supplying a RF power in the gas mixture to form a plasma, and etching the multi-material layer through the patterned layer. L'invention concerne un procédé et un appareil de gravure de photomasques. Dans un mode de réalisation, un gaz à former destiné à enlever une couche de masque utilise un empilement de films comprenant une couche multimatériaux constituée d'au moins deux matériaux différents. Dans un autre mode de réalisation, un procédé de gravure d'une couche multimatériaux disposée sur un photomasque consiste: à mettre en oeuvre, dans une chambre de gravure, un empilement de films dans lequel une couche multimatériaux constituée d'au moins deux matériaux différents est disposée et partiellement exposée à travers une couche structurée; à mettre en oeuvre un mélange gazeux comprenant au moins un gaz fluoré et un gaz oxygène dans une chambre de traitement; à apporter de l'énergie RF dans le mélange gazeux pour former un plasma; et à graver la couche multimatériaux à travers la couche structurée.