SURFACE TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

A method according to embodiments of the invention includes roughening (Fig. 6) a surface (58) of a semiconductor structure (46-48, Fig. 5). The semiconductor structure includes a light emitting layer (47). The surface (58) is a surface from which light is extracted from the semiconductor structure. After roughening, the roughened surface is treated (Fig. 7) to increase total internal reflection, or absorption at the surface, or to reduce an amount of light extracted from the semiconductor structure through the surface (58). L'invention concerne, dans différents modes de réalisation, un procédé comprenant une rugosification (Fig. 6) d'une surface (58) d'une structure de semiconducteur (46-48, Fig. 5). La structure de semiconducteur comprend une couche électroluminescente (47). La surface (58) est une surface à partir de laquelle de la lumière est extraite de la structure de semiconducteur. Après la rugosification, la surface rugosifiée est traitée (Fig. 7) pour accroître la réflexion interne totale ou l'absorption à la surface, ou pour réduire une quantité de lumière extraite de la structure de semiconducteur à travers la surface (58).