DICING SHEET WITH PROTECTIVE FILM FORMING LAYER AND CHIP FABRICATION METHOD

[Problem] To provide a dicing sheet with a protective film forming layer that makes it possible to easily fabricate a semiconductor chip having a protective film with high film thickness uniformity and excellent printing accuracy, and that is expandable and uses a heat resistant substrate material. [Solution] A dicing sheet with a protective film forming layer according to the present invention has a substrate film, an adhesive layer, and a protective film forming layer, and at a minimum, the adhesive layer is formed in an area surrounding the protective film forming layer in a planar view, and the substrate film has the following characteristics (a)-(c): (a) the melting point either exceeds 130°C or the film has no melting point; (b) the thermal contraction rate under conditions of heating at 130°C for two hours is from -5 to +5%, and (c) the degree of elongation-to-break in the MD direction and the CD direction is at least 100%, and the stress at 25% is no more than 100 MPa. Le problème à résoudre est de produire une feuille de découpage en dés portant une couche de formation de film protecteur qui rend possible de fabriquer facilement une puce de semi-conducteur portant un film protecteur ayant une grande uniformité d'épaisseur de film et une excellente précision d'impression, et qui soit extensible et utilise un matériau de substrat résistant à la chaleur. A cet effet, une feuille de découpage en dés à couche de formation de film protecteur selon la présente invention comprend un film de substrat, une couche adhésive, et une couche de formation de film protecteur, et au minimum, la couche adhésive est formée dans une zone entourant la couche de formation de film protecteur en vue plane, et le film de substrat possède les propriétés (a)-(c) suivante : (a) soit le point de fusion dépasse 130°C soit le film n'a pas de point de fusion ; (b) le taux de contraction thermique dans des conditions de chauffage à 130°C pendant deux heures est de -5 à +5 %, et (c) le degré d'allongement à la rupture dans la direction MD et la direction CD est d'au moins 100 %, et la contrainte à 25 % est inférieure ou égale à 100 MPa.