PLASMA ACTIVATED CONFORMAL DIELECTRIC FILM DEPOSITION

Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by intermittent delivery of dopant species to the film between the cycles of adsorpt...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SUBRAMONIUM, PRAMOD, VAN SCHRAVENDIJK, BART J, HAUSMANN, DENNIS M, RANGARAJAN, VISHWANATHAN, SRIRAM, MANDYAM, MCKERROW, ANDREW J, SWAMINATHAN, SHANKAR, HENRI, JON, KATTIGE, KIRTHI K
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Methods of depositing a film on a substrate surface include surface mediated reactions in which a film is grown over one or more cycles of reactant adsorption and reaction. In one aspect, the method is characterized by intermittent delivery of dopant species to the film between the cycles of adsorption and reaction. La présente invention se rapporte à des procédés permettant de déposer un film sur un substrat, lesdits procédés comprenant des réactions médiées en surface au cours desquelles un film est formé sur un ou plusieurs cycles d'adsorption de réactif et de réaction. Selon un aspect, le procédé est caractérisé par une distribution intermittente d'espèces dopantes au film entre les cycles d'adsorption et de réaction.