LOW RESISTIVITY CONTACT
Embodiments of a low resistivity contact to a semiconductor structure are disclosed. In one embodiment, a semiconductor structure includes a semiconductor layer, a semiconductor contact layer having a low bandgap on a surface of the semiconductor layer, and an electrode on a surface of the semicondu...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | Embodiments of a low resistivity contact to a semiconductor structure are disclosed. In one embodiment, a semiconductor structure includes a semiconductor layer, a semiconductor contact layer having a low bandgap on a surface of the semiconductor layer, and an electrode on a surface of the semiconductor contact layer opposite the semiconductor layer. The bandgap of the semiconductor contact layer is in a range of and including 0 to 0.2 electron- volts (eV), more preferably in a range of and including 0 to 0.1 eV, even more preferably in a range of and including 0 to 0.05 eV. Preferably, the semiconductor layer is p-type. In one particular embodiment, the semiconductor contact layer and the electrode form an ohmic contact to the p-type semiconductor layer and, as a result of the low bandgap of the semiconductor contact layer, the ohmic contact has a resistivity that is less than 1 x10-6 ohms-cm2.
Des modes de réalisation de la présente invention portent sur un contact de faible résistivité à une structure semi-conductrice. Selon un mode de réalisation, une structure semi-conductrice comprend une couche semi-conductrice, une couche de contact semi-conductrice ayant une largeur de bande interdite faible sur une surface de la couche semi-conductrice et une électrode sur une surface de la couche de contact semi-conductrice opposée à la couche semi-conductrice. La largeur de bande interdite de la couche de contact semi-conductrice est dans une plage de et comprenant 0 à 0,2 électron-volts (eV), de préférence dans une plage de et comprenant 0 à 0,5 eV, et de façon davantage préférée dans une plage de et comprenant 0 à 0,5 eV. De préférence, la couche semi-conductrice est de type p. Selon un mode de réalisation particulier, la couche de contact semi-conductrice et l'électrode forment un contact ohmique à la couche semi-conductrice de type p et, du fait de la largeur de bande interdite faible de la couche de contact semi-conductrice, le contact ohmique a une résistivité qui est inférieure à 1 x10-6 ohms-cm2. |
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