METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING AND CORRECTING PROBLEMATIC ADVANCED PROCESS CONTROL PARAMETERS
The invention may be embodied in a system and method for monitoring and controlling feedback control in a manufacturing process, such as an integrated circuit fabrication process. The process control parameters may include translation, rotation, magnification, dose and focus applied by a photolithog...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The invention may be embodied in a system and method for monitoring and controlling feedback control in a manufacturing process, such as an integrated circuit fabrication process. The process control parameters may include translation, rotation, magnification, dose and focus applied by a photolithographic scanner or stepper operating on silicon wafers. Overlay errors are used to compute measured parameters used in the feedback control process. Statistical parameters are computed, normalized and graphed on a common set of axes for at-a-glance comparison of measured parameters and process control parameters to facilitate the detection of problematic parameters. Parameter trends and context relaxation scenarios are also compared graphically. Feedback control parameters, such as EWMA lambdas, may be determined and used as feedback parameters for refining the APC model that computes adjustments to the process control parameters based on the measured parameters.
L'invention concerne un système et un procédé pour surveiller et contrôler un asservissement de rétroaction dans un processus de fabrication, tel qu'un processus de fabrication des circuits intégrés. Les paramètres de commande de processus peuvent comprendre la translation, la rotation, l'agrandissement, l'application d'une dose et d'une mise au point par un scanneur photolithographique ou moteur pas à pas agissant sur des plaquettes de silicium. Des erreurs de superposition sont utilisées pour calculer des paramètres mesurés utilisés dans le processus d'asservissement. Des paramètres statistiques sont calculés, normalisés et tracés sur un ensemble commun d'axes pour permettre une comparaison instantanée de paramètres mesurés et de paramètres de commande de processus afin de faciliter la détection des paramètres problématiques. Des tendances paramétriques et des scénarios de relaxation contextuelle sont également l'objet d'une comparaison graphique. Des paramètres d'asservissement, tels que EWMA lambdas, peuvent être déterminés et utilisés comme paramètres de rétroaction pour affiner le modèle APC qui calcule les réglages apportés aux paramètres de contrôle de processus sur la base des paramètres mesurés. |
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