SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING A TRANSMISSIVE CONDUCTIVE LAYER OF A LIGHT EMITTING DEVICE

According to one aspect of the present invention, provided are a method for manufacturing a nitride semiconductor light emitting device and a nitride semiconductor light emitting device manufactured thereby. The method for manufacturing the nitride semiconductor light emitting device comprises the steps of: forming first and second conductive-type nitride semiconductor layers on a substrate to form a light emitting structure including an active layer between the first and second conductive-type nitride semiconductor layers; successively forming the first conductive-type nitride semiconductor layer, the active layer, and the second conductive-type nitride semiconductor layer; forming a first electrode connected to the first conductive type nitride semiconductor layer; forming a photoresist film on the second conductive-type nitride semiconductor layer to expose a portion of the second conductive-type nitride semiconductor layer; and, after a reflective metal layer serving as a second electrode and a barrier layer are successively formed on the second conductive-type nitride semiconductor layer exposed by the photoresist film, removing the photoresist film. La présente invention concerne, selon un aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur de nitrure ainsi qu'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur de nitrure fabriqué à l'aide de ce procédé. Le procédé de fabrication du dispositif électroluminescent à semi-conducteur de nitrure comprend les étapes suivantes : une étape consistant à former des couches semi-conductrices de nitrure d'un premier type conducteur et d'un second type conducteur sur un substrat afin de former une structure électroluminescente comprenant une couche active entre les couches semi-conductrices de nitrure du premier type conducteur et du second type conducteur ; une étape consistant à former de manière successive la couche semi-conductrice de nitrure du premier type conducteur, la couche active, et la couche semi-conductrice de nitrure du second type conducteur ; une étape consistant à former une première électrode connectée à la couche semi-conductrice de nitrure du premier type conducteur ; une étape consistant à former un film de résine photosensible sur la couche semi-conductrice de nitrure du second type conducteur afin d'exposer une partie de la couche semi-conductrice de nitrure du second type conducteur ; et, après la formation successive, sur la couche semi-conductrice de ni