METHOD AND APPARATUS FOR SELECTIVE NITRIDATION PROCESS

Embodiments of the invention provide an improved apparatus and methods for nitridation of stacks of materials. In one embodiment, a remote plasma system includes a remote plasma chamber defining a first region for generating a plasma comprising ions and radicals, a process chamber defining a second region for processing a semiconductor device, the process chamber comprising an inlet port formed in a sidewall of the process chamber, the inlet port being in fluid communication with the second region, and a delivery member disposed between the remote plasma chamber and the process chamber and having a passageway in fluid communication with the first region and the inlet port, wherein the delivery member is configured such that a longitudinal axis of the passageway intersects at an angle of about 20 degrees to about 80 degrees with respect to a longitudinal axis of the inlet port. Des modes de réalisation de l'invention portent sur un appareil et des procédés perfectionnés pour la nitruration d'empilements de matériaux. Dans un mode de réalisation, un système à plasma distant comprend une chambre à plasma distante délimitant une première zone pour la production d'un plasma comprenant des ions et des radicaux, une chambre de traitement délimitant une seconde zone pour le traitement d'un dispositif à semi-conducteur, la chambre de traitement comprenant un orifice d'entrée formé dans une paroi latérale de la chambre de traitement, l'orifice d'entrée étant en communication fluidique avec la seconde zone, et un élément d'acheminement disposé entre la chambre à plasma distante et la chambre de traitement et ayant une voie de passage en communication fluidique avec la première zone et l'orifice d'entrée, l'élément d'acheminement étant conçu de façon à ce qu'un axe longitudinal de la voie de passage coupe un axe longitudinal de l'orifice d'entrée à un angle d'environ 20 degrés à environ 80 degrés.