SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Provided are: a semiconductor device which has improved heat dissipation performance by increasing the thickness of a part of the circuit pattern, to which a semiconductor element is joined, within a temperature range where the thermal stress caused by temperature change at the time of joining does not affect; and a method for manufacturing the semiconductor device. A semiconductor device of the present invention is provided with an insulating substrate (13), a circuit pattern (13a) that is formed on the insulating substrate (13), and a semiconductor element (11) that is joined to the circuit pattern (13a). A first conductor plate (22) is bonded to at least a part of the circuit pattern (13a) with a bonding layer (21), which is obtained by sintering fine metal particles, being interposed therebetween, thereby forming a plate bonded part (23), and the semiconductor element (11) is joined to this plate bonded part (23). Since the conductor plate is bonded to the circuit pattern, thereby forming the plate bonded part and increasing the thickness, the plate bonded part functions both as an electrical wiring line and as a heat absorbing body. By diffusing heat through the thickness increased part, the heat generated by the semiconductor element can be directly dissipated, thereby improving the heat dissipation performance of the semiconductor device. L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur qui a une performance améliorée de dissipation de chaleur, par augmentation de l'épaisseur d'une partie du motif de circuit, auquel un élément semi-conducteur est relié, dans une plage de température où la tension thermique produite par un changement de température lors de la liaison n'est pas affectée ; et un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur. Un dispositif semi-conducteur de la présente invention comporte un substrat isolant (13), un motif de circuit (13a) qui est formé sur le substrat isolant (13) et un élément semi-conducteur (11) qui est relié au motif de circuit (13a). Une première plaque de conducteur (22) est liée à au moins une partie du motif de circuit (13a) avec une couche de liaison (21), qui est obtenue par frittage de fines particules métalliques, interposée entre celles-ci, formant ainsi une partie à plaque liée (23), et l'élément semi-conducteur (11) est relié à cette partie à plaque liée (23). Etant donné que la plaque de conducteur est liée au motif de circuit, formant ainsi la partie à plaque liée et augmentant l'épaisseur, l