METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR STARTING MATERIAL
The present invention provides a semiconductor layer of high photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device employing the same. This method for producing a semiconductor layer comprises: a step for forming a film that includes a metal element and a substance that generate...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| creator | MATSUSHIMA, NORIHIKO KITABAYASHI, AKI YAMAMOTO, AKIO OGURI, SEIJI UMESATO, KAZUMASA TAKEDA, KEIZO ABE, SHINICHI HATATE, ATSUO NISHIURA, KEN OGAWA, HIROMITSU KYUZO, MANABU |
| description | The present invention provides a semiconductor layer of high photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device employing the same. This method for producing a semiconductor layer comprises: a step for forming a film that includes a metal element and a substance that generates oxygen when heated; a step for heating the film, causing oxygen to be generated from the substance; and a step for reacting the metal element and a chalcogen element, thereby forming from the film a semiconductor layer that includes a metal chalcogenide.
La présente invention concerne une couche semi-conductrice de rendement élevé de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique employant celle-ci. Ce procédé de fabrication d'une couche semi-conductrice comprend : une étape de formation d'un film qui comprend un élément métallique et une substance qui génère de l'oxygène lorsqu'elle est chauffée ; une étape de chauffage du film, amenant l'oxygène à être généré à partir de la substance ; et une étape de réaction de l'élément métallique et d'un élément chalcogène, formant ainsi à partir du film une couche semi-conductrice qui comprend un chalcogénure métallique. |
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La présente invention concerne une couche semi-conductrice de rendement élevé de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique employant celle-ci. Ce procédé de fabrication d'une couche semi-conductrice comprend : une étape de formation d'un film qui comprend un élément métallique et une substance qui génère de l'oxygène lorsqu'elle est chauffée ; une étape de chauffage du film, amenant l'oxygène à être généré à partir de la substance ; et une étape de réaction de l'élément métallique et d'un élément chalcogène, formant ainsi à partir du film une couche semi-conductrice qui comprend un chalcogénure métallique.</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130103&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013002057A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76418</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130103&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2013002057A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MATSUSHIMA, NORIHIKO</creatorcontrib><creatorcontrib>KITABAYASHI, AKI</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAMOTO, AKIO</creatorcontrib><creatorcontrib>OGURI, SEIJI</creatorcontrib><creatorcontrib>UMESATO, KAZUMASA</creatorcontrib><creatorcontrib>TAKEDA, KEIZO</creatorcontrib><creatorcontrib>ABE, SHINICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>HATATE, ATSUO</creatorcontrib><creatorcontrib>NISHIURA, KEN</creatorcontrib><creatorcontrib>OGAWA, HIROMITSU</creatorcontrib><creatorcontrib>KYUZO, MANABU</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR STARTING MATERIAL</title><description>The present invention provides a semiconductor layer of high photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device employing the same. This method for producing a semiconductor layer comprises: a step for forming a film that includes a metal element and a substance that generates oxygen when heated; a step for heating the film, causing oxygen to be generated from the substance; and a step for reacting the metal element and a chalcogen element, thereby forming from the film a semiconductor layer that includes a metal chalcogenide.
La présente invention concerne une couche semi-conductrice de rendement élevé de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique employant celle-ci. Ce procédé de fabrication d'une couche semi-conductrice comprend : une étape de formation d'un film qui comprend un élément métallique et une substance qui génère de l'oxygène lorsqu'elle est chauffée ; une étape de chauffage du film, amenant l'oxygène à être généré à partir de la substance ; et une étape de réaction de l'élément métallique et d'un élément chalcogène, formant ainsi à partir du film une couche semi-conductrice qui comprend un chalcogénure métallique.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjLEKwkAQRNNYiPoPC7YRLglifdxtzEFyGzZrxCoEOSvRQPwDf9wIVmJhNczw3syjZ4VSkIWcGGomezDO76HByhnyU5NpL_UJOYafZF2QEJZohJ2ByWmRG0ceLLbOYAza26-7RjTL2620IDtdLqPZpb-OYfXJRbTOUUyxCcO9C-PQn8MtPLojpSrJlErVdqeT7D_qBWF8PlQ</recordid><startdate>20130103</startdate><enddate>20130103</enddate><creator>MATSUSHIMA, NORIHIKO</creator><creator>KITABAYASHI, AKI</creator><creator>YAMAMOTO, AKIO</creator><creator>OGURI, SEIJI</creator><creator>UMESATO, KAZUMASA</creator><creator>TAKEDA, KEIZO</creator><creator>ABE, SHINICHI</creator><creator>HATATE, ATSUO</creator><creator>NISHIURA, KEN</creator><creator>OGAWA, HIROMITSU</creator><creator>KYUZO, MANABU</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130103</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR STARTING MATERIAL</title><author>MATSUSHIMA, NORIHIKO ; KITABAYASHI, AKI ; YAMAMOTO, AKIO ; OGURI, SEIJI ; UMESATO, KAZUMASA ; TAKEDA, KEIZO ; ABE, SHINICHI ; HATATE, ATSUO ; NISHIURA, KEN ; OGAWA, HIROMITSU ; KYUZO, MANABU</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2013002057A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2013</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MATSUSHIMA, NORIHIKO</creatorcontrib><creatorcontrib>KITABAYASHI, AKI</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAMOTO, AKIO</creatorcontrib><creatorcontrib>OGURI, SEIJI</creatorcontrib><creatorcontrib>UMESATO, KAZUMASA</creatorcontrib><creatorcontrib>TAKEDA, KEIZO</creatorcontrib><creatorcontrib>ABE, SHINICHI</creatorcontrib><creatorcontrib>HATATE, ATSUO</creatorcontrib><creatorcontrib>NISHIURA, KEN</creatorcontrib><creatorcontrib>OGAWA, HIROMITSU</creatorcontrib><creatorcontrib>KYUZO, MANABU</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MATSUSHIMA, NORIHIKO</au><au>KITABAYASHI, AKI</au><au>YAMAMOTO, AKIO</au><au>OGURI, SEIJI</au><au>UMESATO, KAZUMASA</au><au>TAKEDA, KEIZO</au><au>ABE, SHINICHI</au><au>HATATE, ATSUO</au><au>NISHIURA, KEN</au><au>OGAWA, HIROMITSU</au><au>KYUZO, MANABU</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR STARTING MATERIAL</title><date>2013-01-03</date><risdate>2013</risdate><abstract>The present invention provides a semiconductor layer of high photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device employing the same. This method for producing a semiconductor layer comprises: a step for forming a film that includes a metal element and a substance that generates oxygen when heated; a step for heating the film, causing oxygen to be generated from the substance; and a step for reacting the metal element and a chalcogen element, thereby forming from the film a semiconductor layer that includes a metal chalcogenide.
La présente invention concerne une couche semi-conductrice de rendement élevé de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique employant celle-ci. Ce procédé de fabrication d'une couche semi-conductrice comprend : une étape de formation d'un film qui comprend un élément métallique et une substance qui génère de l'oxygène lorsqu'elle est chauffée ; une étape de chauffage du film, amenant l'oxygène à être généré à partir de la substance ; et une étape de réaction de l'élément métallique et d'un élément chalcogène, formant ainsi à partir du film une couche semi-conductrice qui comprend un chalcogénure métallique.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
| title | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR STARTING MATERIAL |
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