METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR STARTING MATERIAL

The present invention provides a semiconductor layer of high photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device employing the same. This method for producing a semiconductor layer comprises: a step for forming a film that includes a metal element and a substance that generate...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MATSUSHIMA, NORIHIKO, KITABAYASHI, AKI, YAMAMOTO, AKIO, OGURI, SEIJI, UMESATO, KAZUMASA, TAKEDA, KEIZO, ABE, SHINICHI, HATATE, ATSUO, NISHIURA, KEN, OGAWA, HIROMITSU, KYUZO, MANABU
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides a semiconductor layer of high photoelectric conversion efficiency, and a photoelectric conversion device employing the same. This method for producing a semiconductor layer comprises: a step for forming a film that includes a metal element and a substance that generates oxygen when heated; a step for heating the film, causing oxygen to be generated from the substance; and a step for reacting the metal element and a chalcogen element, thereby forming from the film a semiconductor layer that includes a metal chalcogenide. La présente invention concerne une couche semi-conductrice de rendement élevé de conversion photoélectrique et un dispositif de conversion photoélectrique employant celle-ci. Ce procédé de fabrication d'une couche semi-conductrice comprend : une étape de formation d'un film qui comprend un élément métallique et une substance qui génère de l'oxygène lorsqu'elle est chauffée ; une étape de chauffage du film, amenant l'oxygène à être généré à partir de la substance ; et une étape de réaction de l'élément métallique et d'un élément chalcogène, formant ainsi à partir du film une couche semi-conductrice qui comprend un chalcogénure métallique.