DIES PREPEELING APPARATUS AND METHOD

An apparatus (100) and a method for prepeeling semiconductor dies (212) from a dicing tape (200) with the semiconductor dies (212) attached thereon are disclosed. The apparatus (100) comprises a chamber (110) having a bottom base (112), a top opening (114) and an annular sidewall (116) extended upward from the periphery of the base (112). The sidewall (116) has a substantially flat top surface. The apparatus (100) further comprises a cover (120) disposed above the chamber (110). The cover (120) has a central opening. The apparatus (100) further comprises at least one inlet (118) disposed in the base (112) and a pressure regulator (150) connected to the chamber (110) via the at least one inlet (118). The dicing tape (200) is disposed between the cover (120) and the top surface of the sidewall (116) to hermetically seal the top opening (114) of the chamber (110). The semiconductor dies (212) are located directly above the top opening (114) of the chamber (110). L'invention concerne un appareil (100) et un procédé de pré-décollement de puces semi-conductrices (212) d'une bande de découpage en puces (200) sur laquelle sont fixées lesdites puces (212). L'appareil (100) selon l'invention comprend une chambre (110) pourvue d'une base inférieure (112), d'une ouverture supérieure (114) et d'une paroi latérale annulaire (116) s'étendant vers le haut à partir du périmètre de la base (112). La paroi latérale (116) comporte une surface supérieure sensiblement plate. L'appareil (100) selon l'invention comprend également un couvercle (120) disposé au-dessus de la chambre (110). Le couvercle (120) comporte une ouverture centrale. L'appareil (100) comprend encore au moins un orifice d'entrée (118) formé dans la base (112) et un régulateur de pression (150) relié à la chambre (110) par l'intermédiaire dudit orifice d'entrée au moins (118). La bande de découpage en puces (200) est disposée entre le couvercle (120) et la paroi supérieure de la paroi latérale (116) pour fermer hermétiquement l'ouverture supérieure (114) de la chambre (110). Les puces semi-conductrices (212) sont situées directement au-dessus de l'ouverture supérieure (114) de la chambre (110).