METHOD OF DEFECT REDUCTION IN ION IMPLANTED SOLAR CELL STRUCTURES

An improved solar cell is disclosed. To create the internal p-n junction, one surface of the substrate is implanted with ions. After the implantation, the substrate is thermally treated. The thermal process distributes the dopant throughout the substrate, while repairing crystal damage caused by implantation. After the thermal process, residual crystal damage may remain, which adversely impacts solar cell efficiency. In order to further reduce the residual damage, the uppermost portion of the surface is then removed, thereby eliminating that portion of the substrate where most of the defects reside. The lower defect concentration reduces recombination and improves efficiency of the solar cell. La présente invention a trait à une cellule solaire améliorée. En vue de créer la jonction p-n interne, une surface du substrat est implantée avec des ions. Après l'implantation, le substrat est thermiquement traité. Le processus thermique distribue le dopant partout dans le substrat, tout en réparant le dommage causé au cristal par l'implantation. Après le processus thermique, un dommage causé au cristal résiduel peut demeurer, ce qui a un impact négatif sur l'efficacité de la cellule solaire. Afin de réduire davantage le dommage résiduel, la partie supérieure de la surface est ensuite retirée, ce qui permet de la sorte de supprimer la partie du substrat où se trouvent la plupart des défauts. Une concentration inférieure de défaut permet de réduire la recombinaison et améliore l'efficacité de la cellule solaire.