USE OF SPECTRUM TO SYNCHRONIZE RF SWITCHING WITH GAS SWITCHING DURING ETCH

A method for etching features into an etch layer in a plasma processing chamber is provided. An optically timed deposition phase is provided comprising providing a flow of deposition phase gas, detecting the presence of deposition gas within the plasma processing chamber, providing RF energy for forming a plasma from the deposition phase gas in the plasma processing chamber, and stopping the flow of the deposition gas into the plasma processing chamber. An optically timed etching phase is provided, comprising providing a flow of an etch gas, detecting the presence of the etch gas within the plasma processing chamber, providing RF energy for forming a plasma from the etch gas in the plasma processing chamber, and stopping the flow of the etch gas into the plasma processing chamber. L'invention concerne un procédé de gravure de caractéristique dans une couche de gravure dans une chambre de traitement au plasma. Une phase de dépôt temporisée optiquement est prévue, laquelle comprend la fourniture d'un écoulement de gaz de phase de dépôt, la détection de la présence de gaz de dépôt à l'intérieur de la chambre de traitement au plasma, la fourniture d'une énergie RF pour former un plasma à partir du gaz de phase de dépôt dans la chambre de traitement au plasma, et l'arrêt de l'écoulement du gaz de dépôt dans la chambre de traitement au plasma. Une phase de gravure temporisée optiquement est prévue, laquelle comprend la fourniture d'un écoulement d'un gaz de gravure, la détection de la présence du gaz de gravure à l'intérieur de la chambre de traitement au plasma, la fourniture d'énergie RF pour former un plasma à partir du gaz de gravure dans la chambre de traitement au plasma, et l'arrêt de l'écoulement du gaz de gravure dans la chambre de traitement au plasma.