METHODS FOR REPAIRING LOW-K DIELECTRICS USING CARBON PLASMA IMMERSION

Methods for repairing low-k dielectrics using a plasma immersion carbon doping process are provided herein. In some embodiments, a method of repairing a low-k dielectric material disposed on a substrate having one or more features disposed through the low-k dielectric material may include depositing a conformal oxide layer on the low-k dielectric material and within the one or more features; and doping the conformal oxide layer with carbon using a plasma doping process. L'invention porte sur des procédés pour la réparation de diélectriques de faible k utilisant un procédé de dopage par du carbone par immersion dans un plasma. Dans certains modes de réalisation, le procédé de réparation d'un matériau diélectrique de faible k disposé sur un substrat ayant un ou plusieurs éléments disposés dans tout le matériau électrique de faible k peut comprendre le dépôt d'une couche d'oxyde conforme sur le matériau diélectrique de faible k et dans le ou les éléments ; et le dopage de la couche d'oxyde conforme avec du carbone à l'aide d'un procédé de dopage par plasma.