HIGH VOLTAGE ARRANGEMENT COMPRISING AN INSULATING STRUCTURE

It is presented a high voltage arrangement (1) for a high voltage power system. The high voltage arrangement (1) has an insulating structure which reduces the creep path in the insulating structure. The high voltage arrangement (1) comprises an insulating structure (6) arranged around the second conductor (13) for providing insulation of the second conductor (13), wherein the insulating structure (6) has a continuous extension in an axial direction from a first end (21-1) thereof providing insulation of essentially the entire length of the second conductor (13) to a second end (21-2) of the insulating structure arranged around the bushing portion (11-1), which second end (21-2) extends around the bushing portion (11-1) at least to a point where an electric potential of an external surface of the bushing portion (11-1) is at most equal to the average of the potential of the first conductor (9) and the potential of the interfacing plane (4) when the high voltage arrangement (1) is in use. La présente invention concerne un dispositif à haute tension (1) destiné à un système d'alimentation à haute tension. Ce dispositif à haute tension (1) présente une structure isolante qui réduit le passage de fluage dans la structure isolante. Le dispositif à haute tension (1) comprend une structure isolante (6) disposée autour du deuxième conducteur (13) de façon à réaliser l'isolation du deuxième conducteur (13). La structure isolante (6) présente une extension continue dans le sens axial à partir d'une première extrémité (21-1) de ladite structure, réalisant ainsi l'isolation de sensiblement toute la longueur du deuxième conducteur (13), jusqu'à une deuxième extrémité (21-2) de la structure isolante disposée autour de la partie traversante (11-1). La deuxième extrémité (21-2) s'étend autour de la partie traversante (11-1), au moins jusqu'à un point où un potentiel électrique d'une surface externe de la partie traversante (11-1) n'excède pas la moyenne du potentiel du premier conducteur (9) et du potentiel du plan d'interface (4) quand le dispositif à haute tension (1) est en cours d'utilisation.