ELECTRODE STRUCTURES FOR ARRAYS OF NANOSTRUCTURES AND METHODS THEREOF

A thermoelectric device and methods thereof. The thermoelectric device includes nanowires, a contact layer, and a shunt. Each of the nanowires includes a first end and a second end. The contact layer electrically couples the nanowires through at least the first end of each of the nanowires. The shunt is electrically coupled to the contact layer. All of the nanowires are substantially parallel to each other. A first contact resistivity between the first end and the contact layer ranges from10-13 O-m2 to 10-7 O-m2. A first work function between the first end and the contact layer is less than 0.8 electron volts. The contact layer is associated with a first thermal resistance ranging from 10-2 K/W to 1010 K/W. L'invention porte sur un dispositif thermoélectrique et sur des procédés associés. Le dispositif thermoélectrique comprend des nanofils, une couche de contact et un shunt. Chacun des nanofils comprend une première extrémité et une seconde extrémité. La couche de contact se couple électriquement aux nanofils par l'intermédiaire d'au moins la première extrémité de chacun des nanofils. Le shunt est couplé électriquement à la couche de contact. L'ensemble des nanofils sont sensiblement parallèles les uns aux autres. Une première résistivité de contact entre la première extrémité et la couche de contact va de 10-13 O-m2 à 10-7 O-m2. Un premier travail d'extraction entre la première extrémité et la couche de contact est inférieur à 0,8 électron-volts. La couche de contact est associée à une première résistance thermique allant de 10-2 K/W à 1010 K/W.