HIGH PRESSURE BEVEL ETCH PROCESS

A method of bevel edge processing a semiconductor in a bevel plasma processing chamber in which the semiconductor substrate is supported on a semiconductor substrate support is provided. The method comprises evacuating the bevel etcher to a pressure of 3 to 100 Torr and maintaining RF voltage under a threshold value; flowing a process gas into the bevel plasma processing chamber; energizing the process gas into a plasma at a periphery of the semiconductor substrate; and bevel processing the semiconductor substrate with the plasma. L'invention porte sur un procédé de traitement de bord chanfreiné d'un semi-conducteur dans une chambre de traitement de chanfrein à plasma, dans lequel procédé le substrat semi-conducteur est supporté sur un support de substrat semi-conducteur. Le procédé consiste en l'évacuation de l'agent de gravure de chanfrein sous une pression de 3 à 100 torrs et le maintien d'une tension RF en dessous d'une valeur de seuil ; la circulation d'un gaz de traitement dans la chambre de traitement de chanfrein à plasma ; l'excitation du gaz de traitement sous la forme d'un plasma à une périphérie du substrat semi-conducteur ; et le traitement de chanfrein du substrat semi-conducteur avec le plasma.