FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH LOW SOURCE RESISTANCE

A semiconductor device includes a drift layer having a first conductivity type, a well region in the drift layer having a second conductivity type opposite the first conductivity type, and a source region in the well region, The source region has the first conductivity type and defines a channel region in the well region. The source region includes a lateral source region adjacent the channel region and a plurality of source contact regions extending away from the lateral source region opposite the channel region. A body contact region having the second conductivity type is between at least two of the plurality of source contact regions and is in contact with the well region. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une couche de dérive présentant un premier type de conductivité, une région de puits dans la couche de dérive présentant un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une région de source dans la région de puits. La région de source présente le premier type de conductivité et définit une région de canal dans la région de puits. La région de source comprend une région de source latérale adjacente à la région de canal et une pluralité de régions de contact de source s'écartant de la région de source latérale opposée à la région de canal. Une région de contact de corps présentant le second type de conductivité est située entre au moins deux régions de contact de source de la pluralité de régions de contact de source et est en contact avec la région de puits.