APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING A MULTICRYSTALLINE MATERIAL HAVING LARGE GRAIN SIZES

A crystal growth apparatus is disclosed comprising a crucible, optionally contained within a crucible box, on a crucible support block, wherein the bottom of the crucible, the bottom plate of the crucible box, if used, and/or the crucible support block comprise at least one cavity configured to circ...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	RAVI, BHUVARAGASAMY, GANESAN, PARTHSARATHY, SANTHANA, RAGHAVAN, LACKEY, DAVID, BATHEY, BALA, CHARTIER, CARL, LYTTLE, DAVID, ANDRUKHIV, ANDRE
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A crystal growth apparatus is disclosed comprising a crucible, optionally contained within a crucible box, on a crucible support block, wherein the bottom of the crucible, the bottom plate of the crucible box, if used, and/or the crucible support block comprise at least one cavity configured to circulate at least one coolant therein. Also disclosed is a method of preparing a crystalline material using the disclosed crystal growth apparatus as well as the resulting crystalline material, having larger overall grain sizes. L'invention concerne un appareil de croissance de cristaux, comportant un creuset, éventuellement contenu dans un caisson de creuset, sur un bloc porteur de creuset, le fond du creuset, la plaque inférieure du caisson de creuset éventuel, et / ou le bloc porteur de creuset comportant au moins une cavité configurée pour faire circuler au moins un agent de refroidissement à l'intérieur de celle-ci. L'invention concerne également un procédé de préparation d'un matériau cristallin à l'aide de l'appareil de croissance de cristaux décrit, ainsi que le matériau cristallin résultant, présentant globalement des tailles de grains supérieures.