BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR IN SILICON CARBIDE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE

New designs for silicon carbide (Si C) bipolar junction transistors (BJTs) and new methods of manufacturing such Si C BJTs are provided. The Si C BJT comprises a collector region (220), a base region (240) and an emitter region (260). Further, a surface passivation layer is deposited between an emitter contact for contacting the emitter region and a base contact for contacting the base region. The deposited surface passivation layer induces the formation of a depletion region under said surface passivation layer in the extrinsic part of said base region.Further, the Si C BJT comprises a surface gatearranged at the deposited surface passivation layer. The surface gateisconfigured to apply a negative electric potentialto the deposited surface passivation layer with respect to the electric potential in the base region. The present invention is advantageous in that it provides Si C BJTs with improved blocking capabilities. La présente invention se rapporte à de nouvelles conceptions de transistors à jonction bipolaires (BJT) en carbure de silicium (Si C) et à de nouveaux procédés de fabrication de tels BJT en Si C. Le BJT en Si C comprend une région collectrice (220), une région de base (240) et une région émettrice (260). En outre, une couche de passivation de surface est déposée entre un contact émetteur en vue d'un contact avec la région émettrice et un contact de base en vue d'un contact avec la région de base. La couche de passivation de surface déposée entraîne la formation d'une région d'appauvrissement sous ladite couche de passivation de surface dans la partie extrinsèque de ladite région de base. En outre, le BJT en Si C comprend une surface-grille agencée sur la couche de passivation de surface déposée. La grille de surface est configurée pour appliquer un potentiel électrique négatif à la couche de passivation de surface déposée par rapport au potentiel électrique dans la région de base. La présente invention st avantageuse en ce qu'elle produit des BJT en Si C ayant des capacités de blocage améliorées. Figure choisie en vue de la publication : Figure 2b