GRAPHITE CRUCIBLE FOR SILICON CRYSTAL PRODUCTION

A graphite crucible for processing silicon includes a bottom wall including a bottom wall interior facing surface. A plurality of side walls extend upwardly from the bottom wall, each side wall including a side wall interior facing surface. A protective coating is provided on the bottom wall interior facing surface and the side wall interior facing surface. The side walls have a coefficient of thermal expansion perpendicular to the solidification direction that is less than 95% of the coefficient of thermal expansion of the silicon processed therein. Also, the side walls and the bottom wall have a thru-plane thermal conductivity from about 90 to about 160 W/m°K at room temperature. Un creuset de graphite pour traiter du silicium comprend une paroi de fond comprenant une surface de paroi de fond tournée vers l'intérieur. Plusieurs parois latérales s'étendent vers le haut à partir de la paroi de fond, chaque paroi latérale comprenant une surface de paroi latérale tournée vers l'intérieur. Un revêtement protecteur est disposé sur la surface de paroi de fond tournée vers l'intérieur et la surface de paroi latérale tournée vers l'intérieur. Les parois latérales ont un coefficient de dilatation thermique perpendiculairement à la direction de solidification qui est inférieur à 95 % du coefficient de dilatation thermique du silicium traité dans le creuset. Egalement, les parois latérales et la paroi de fond ont une conductivité thermique à travers le plan d'environ 90 à environ 160 W/m°K à la température ambiante.