CONTACT METAL FOR HYBRIDIZATION AND RELATED METHODS

A contact structure (107, 113) for interconnecting a first substrate (102, 102'), e.g. a photodetector, to an indium interconnect structure (106, 106') on a second substrate (104, 104'), e.g. a microelectronic circuit chip, comprises a diffusive layer (108, 108'), e.g. Ni, and a non-oxidising layer (110, 110'), e.g. Au or Ag, with a thickness of approximately 10-200 nm, positioned on the diffusive layer (108, 108') for alignment with the indium interconnect (106, 106'). With the use of a relatively thin layer (110, 110') of non-oxidising material, compared to the larger interconnect structure (106, 106'), the formation of brittle intermetallics, such as Auln2 or Agln2, may be avoided. Rather, more robust intermetallic formations of the interconnect material (In) and the diffusive material (Ni) may be formed. L'invention concerne une structure de contact destinée à interconnecter un premier substrat à une structure d'interconnexion par indium présente sur un deuxième substrat. La structure de contact comporte une couche diffusive et une couche non oxydante, d'une épaisseur inférieure à environ 150 nm, positionnée sur la couche diffusive en vue d'un alignement avec l'interconnexion par indium.