AQUEOUS ACIDIC BATH FOR ELECTROLYTIC DEPOSITION OF COPPER

The invention relates to an aqueous acidic bath for electrolytic deposition of copper, comprising, at least one source of copper ions, at least one acid, at least one brightener compound, and at least one leveler for copper-deposition, wherein at least one leveler is a ruthenium compound, and to a process for the electrolytic deposition of copper, in particular for filling blind micro vias, through hole vias, trenches and similar structures on printed circuit boards, chip carriers and semiconductor wafers. L'invention porte sur un bain aqueux acide pour le dépôt électrolytique de cuivre, comprenant au moins une source d'ions cuivre, au moins un acide, au moins un composé brillanteur et au moins un agent égalisant pour le dépôt de cuivre, au moins un agent égalisant étant un composé du ruthénium, et sur un procédé pour le dépôt électrolytique de cuivre, en particulier pour le remplissage de micro-trous d'interconnexion borgnes, de trous d'interconnexion traversants, de tranchées et de structures similaires sur des cartes de circuits imprimés, des porte-puces et des semi-conducteurs étagés.