REINFORCED FAN-OUT WAFER-LEVEL PACKAGE

A microelectronic package (10) includes a microelectronic element (12) including a first surface (14) having contacts (28) thereon, a second surface (16) remote therefrom, and edge surfaces (24) extending between the first and second surfaces. A reinforcing layer (50) adheres to the at least one edge surface (24) and extends in a direction away therefrom, the reinforcing layer (50) not extending along the first surface (14) of the microelectronic element (12). A conductive redistribution layer (30) including a plurality of conductive elements (34) extends from the contacts (28) along the first surface (14) and along a surface (54) of the reinforcing layer (50) beyond the at least one edge surface (24). An encapsulant (18) overlies at least the reinforcing layer (50). The microelectronic element (12) has a first coefficient of thermal expansion, the encapsulant (18) has a second coefficient of thermal expansion, and the reinforcing layer (50) has a third coefficient of thermal expansion that is between the first and second coefficients of thermal expansion. La présente invention concerne une encapsulation microélectronique (10) qui comprend un élément microélectronique (12) qui comporte une première surface (14) sur laquelle se trouvent des contacts (28), une seconde surface (16) éloignée de ladite première surface, et des surfaces de bord (24) qui s'étendent entre les première et seconde surfaces. Une couche de renforcement (50) adhère à la ou aux surfaces de bord (24) et s'étend dans une direction pour s'en éloigner, la couche de renforcement (50) ne s'étendant pas le long de la première surface (14) de l'élément microélectronique (12). Une couche de redistribution conductrice (30) qui comprend une pluralité d'éléments conducteurs (34) s'étend à partir des contacts (28) le long de la première surface (14) et le long d'une surface (54) de la couche de renforcement (50) au-delà de la ou des surfaces de bord (24). Un encapsulant (18) recouvre au moins la couche de renforcement (50). L'élément microélectronique (12) possède un premier coefficient de dilatation thermique, l'encapsulant (18) possède un deuxième coefficient de dilatation thermique, et la couche de renforcement (50) possède un troisième coefficient de dilatation thermique qui se trouve entre les premier et deuxième coefficients de dilatation thermique.