VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH IMPROVED THERMAL CHARACTERISTICS AND METHODS OF MAKING

Vertical junction field effect transistors (VJFETs) having improved heat dissipation at high current flow while maintaining the desirable specific on-resistance and normalized saturated drain current properties characteristic of devices having small pitch lengths are described. The VJFETs comprise one or more electrically active source regions in electrical contact with the source metal of the device and one or more electrically inactive source regions not in electrical contact with the source metal of the device. The electrically inactive source regions dissipate heat generated by the electrically active source regions during current flow. L'invention concerne des transistors à effet de champ à jonction verticale (VJFET) qui présentent une dissipation thermique améliorée pendant une circulation de courant haute intensité, tout en conservant les propriétés désirables spécifiques de résistance à l'état passant et de courant de drain saturé normalisé, caractéristiques de dispositifs ayant de faibles longueurs de pas. Les transistors à effet de champ à jonction verticale comportent une ou plusieurs régions sources électriquement actives en contact électrique avec le métal source du dispositif et une ou plusieurs régions sources électriquement inactives qui ne sont pas en contact électrique avec le métal source du dispositif. Les régions sources électriquement inactives dissipent la chaleur dégagée par les régions sources électriquement actives pendant une circulation du courant.