METHOD FOR FORMING RESIST PATTERNS AND METHOD FOR PRODUCING PATTEREND SUBSTRATES EMPLOYING THE RESIST PATTERNS

[Objective] To enable the widths of protrusions of a resist pattern after residual film etching steps to be a desired value greater than or equal to the widths of the protrusions of the resist pattern prior to the residual film etching steps. [Constitution] Residual film etching steps for etching a resist film (2) onto which a pattern (13) of protrusions and recesses (13) has been formed includes: a first etching step that employs a first etching gas including a sedimentary gas that generates sediment (4) during etching to etch the resist film under conditions such that the sediment (4) is deposited on the side walls (2a) of protrusions of a resist pattern while residual film (2b) is etched. The conditions are set such that steps following the first etching step etch the resist film (2) such that the widths of the protrusions (2a) including the deposited sediment (4) become a desired width greater than or equal to the widths of the protrusions (2a) prior to the residual film etching steps. L'invention a pour objectif de permettre l'obtention d'un motif de photorésine dont les saillies présentent, après les étapes d'attaque chimique de la couche résiduelle, des largeurs choisies supérieures ou égale à celles précédant les étapes d'attaque de la couche résiduelle. Selon l'invention les étapes d'attaque de la couche résiduelle pour l'attaque d'une couche de photorésine (2) sur laquelle un motif de saillies et de creux (13) a été formé comprennent une première étape d'attaque réalisée avec un premier gaz d'attaque contenant un gaz de dépôt créant un dépôt de matière (4) pendant la gravure, afin d'attaquer la couche de photorésine dans des conditions aptes à produire un dépôt de matière (4) sur les parois latérales (2a) de saillies d'un motif de photorésine pendant l'attaque de la couche résiduelle (2b). Les conditions sont définies de telle manière que les étapes suivant la première étape d'attaque comprennent une attaque de la couche de photorésine (2) conduite de telle manière que les saillies (2a) revêtues de la matière déposée (4) atteignent des largeurs choisies supérieures ou égales à celles desdites saillies (2a) avant les étapes d'attaque de la couche résiduelle.