SELF CLEANING SOLUTIONS FOR CARBON IMPLANTATION

Compounds and methods for use as source materials for pre-amorphization implantation in the formation of ultra-shallow junctions. Some compounds exhibit self-cleaning Cn (n= 5 - 30) ion source properties wherein each molecule of the compound includes a Cn (n= 5 - 30) ion source portion and a cleanin...

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Hauptverfasser: MA, CE, KIM, KEEAN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Compounds and methods for use as source materials for pre-amorphization implantation in the formation of ultra-shallow junctions. Some compounds exhibit self-cleaning Cn (n= 5 - 30) ion source properties wherein each molecule of the compound includes a Cn (n= 5 - 30) ion source portion and a cleaning agent portion. Other compounds comprise binary solutions that exhibit self-cleaning Cn (n= 5 - 30) source properties wherein the solution contains a Cn (n= 5 - 30) ion source component and a cleaning agent component. L'invention concerne des procédés et des composés à utiliser comme matériaux sources pour une implantation de pré-amorphisation dans la formation de jonctions ultrasuperficielles. Certains composés présentent des propriétés de sources d'ions autonettoyants Cn (n = 5 - 30), chaque molécule du composé comprenant une partie de source d'ions Cn (n = 5 - 30) et une partie d'agent de nettoyage. D'autres composés comprennent des solutions binaires qui présentent des propriétés de sources autonettoyantes Cn (n = 5 - 30), la solution contenant une composante source d'ions Cn (n = 5 - 30) et une composante agent de nettoyage.