METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE, AND THIN FILM SUBSTRATE

Provided is a method for forming a semiconductor thin film whereby a crystalline silicon film of high crystallinity can be formed at a low temperature. This method for forming a semiconductor thin film includes a first step in which an amorphous silicon film (precursor film (2F)) having an intensity of 0.65 or greater at a photon energy of 1.1 eV in a photoluminescence spectrum in which peak intensity has been normalized to 1 is formed on a substrate (1), and a second step in which a crystalline silicon film (2) is formed by annealing the amorphous silicon film. La présente invention concerne un procédé de formation d'un film mince semi-conducteur, permettant de former à basse température un film de silicium cristallin à cristallinité élevée. Ce procédé de formation d'un film mince semi-conducteur comprend : une première étape consistant à former sur un substrat (1) un film de silicium amorphe (film précurseur (2F)) présentant une intensité supérieure ou égale à 0,65 pour une énergie photonique de 1,1 eV dans un spectre de photoluminescence dans lequel l'intensité de pic a été normalisée à 1 ; et une seconde étape consistant à former un film de silicium cristallin (2) par recuit du film de silicium amorphe.