NON-VOLATILE ANTI-FUSE MEMORY CELL

A non-volatile anti-fuse memory cell includes a programmable n-channel diode-connectable transistor (300). The polysilicon gate (308) of the transistor has two portions. One portion is doped more highly than the other portion. The transistor also has a source (312) with two portions where one portion of the source is doped more highly than the other portion. The portion of the gate (308) that is physically closer to the source is more lightly doped than the other portion of the gate. The portion of the source (312) that is physically closer to the lightly doped portion of the gate is lightly doped with respect to the other portion of the source. When the transistor is programmed, a rupture in the insulator will most likely occur in the portion of the polysilicone gate that is heavily doped. A p-channel transistor is also disclosed. L'invention porte sur une cellule mémoire anti-fusible, non volatile, qui comprend un transistor connectable à une diode à canal n programmable (300). La grille de polysilicium (308) du transistor présente deux parties. Une partie est dopée de manière plus importante que l'autre partie. Le transistor possède également une source (312) présentant deux parties, une partie de la source étant dopée de manière plus importante que l'autre partie. La partie de la grille (308) qui est physiquement plus proche de la source est plus légèrement dopée que l'autre partie de la grille. La partie de la source (312) qui est physiquement plus proche de la partie légèrement dopée de la grille est légèrement dopée par rapport à l'autre partie de la source. Lorsque le transistor est programmé, une rupture de l'isolant se produira probablement dans la partie de la grille de polysilicium qui est fortement dopée. L'invention porte également sur un transistor à canal p.