METHOD FOR FORMING THROUGH-BASE WAFER VIAS

Method for manufacturing semiconductor wafers having at least one through-base wafer via, the said method comprising the steps of (1 ) providing a semiconductor wafer having at least one electrically conductive via comprising an electrically conductive metal and extending from the front side of the semiconductor wafer at least partially through the semiconductor wafer; (2) affixing the frontside of the semiconductor wafer to a carrier; (3) contacting the backside of the semiconductor wafer with a polishing pad and an aqueous chemical mechanical polishing composition having a pH of equal to or greater than 9 and comprising (A) abrasive particles; (B) an oxidizing agent containing at least one peroxide group; and (C) an additive acting both as metal chelating agent and metal corrosion inhibitor; (4) chemically mechanically polishing the backside of the semiconductor wafer until at least one electrically conductive via is exposed. Preferably, the additive (C) is 1,2,3-triazole. La présente invention concerne un procédé pour la fabrication de tranches semi-conductrices comprenant au moins un trou d'interconnexion à travers la tranche de base, ledit procédé comprenant les étapes suivantes: (1) la mise à disposition d'une tranche semi-conductrice comportant au moins un trou d'interconnexion conducteur d'électricité comprenant un métal conducteur d'électricité et s'étendant depuis la face avant de la tranche semi-conductrice au moins en partie à travers la tranche semi-conductrice ; (2) la fixation de la face avant de la tranche semi-conductrice à un support ; (3) la mise en contact de la face arrière de la couche semi-conductrice avec une tampon à polir et d'une composition aqueuse de polissage mécanique-chimique ayant un pH égal ou supérieur à 9 et comportant (A) des particules abrasives ; (B) un agent oxydant contenant au moins un groupe peroxyde ; et (C) un additif agissant à la fois comme agent chélateur et inhibiteur de corrosion ; (4) le polissage mécanique-chimique de la face arrière de la tranche semi-conductrice jusqu'à l'exposition d'au moins un trou d'interconnexion conducteur d'électricité. De préférence, l'additif (C) est 1,2,3-triazole.