THIN-FILM SOLAR FABRICATION PROCESS, DEPOSITION METHOD FOR A LAYER STACK OF A SOLAR CELL, AND SOLAR CELL PRECURSOR

A method of depositing layer stacks for photoelectric conversion devices, e.g., solar cells and corresponding layer stacks or solar cell precursors are described. The method includes depositing a first conductivity-type silicon-containing layer for a p-i-n-junction of a solar cell, depositing an intrinsic-type silicon containing layer for a p-i-n-junction of a solar cell, and depositing a second conductivity-type layer with a conductivity-type opposite to the first conductivity-type layer. The method further includes providing a back contact, wherein the second conductivity type layer is deposited between the intrinsic- type layer and the back contact, and wherein the further conductivity-type layer is deposited by chemical vapor deposition using CO2. La présente invention a trait à un procédé de dépôt d'empilages de couches destiné à des dispositifs de conversion photoélectrique, par exemple des cellules solaires, et aux empilages de couches correspondants ou aux précurseurs de cellule solaire correspondants. Le procédé inclut les étapes consistant à déposer une couche contenant du silicium et dotée d'un premier type de conductivité pour une jonction p-i-n d'une cellule solaire, à déposer une couche contenant du silicium de type intrinsèque pour une jonction p-i-n d'une cellule solaire, et à déposer une couche dotée d'un second type de conductivité et dont le type de conductivité est opposé à celui de la couche dotée du premier type de conductivité. Le procédé inclut en outre une étape consistant à fournir un contact arrière, ladite couche dotée du second type de conductivité étant déposée entre la couche de type intrinsèque, et le contact arrière et ladite couche dotée d'un autre type de conductivité étant déposée par dépôt chimique en phase vapeur à l'aide de CO2.