CHEMICAL METHOD FOR REMOVING COPPER SULPHIDE (CU2S) DEPOSITED ONTO CELLULOSE -BASED MATERIAL IN TRANSFORMER USING A COPPER COMPLEXANT

A method for removing copper sulphide (Cu2S) deposited onto electrically insulating materials of components in an electrical apparatus,such as a transformer or a bushing, wherein normally present electrically insulating oil has been substantially removed, and on other surfaces of such apparatus, comprising the following steps: providing a chemical treatment solution comprising at least one non-polar solvent and at least one chelating agent being able of forming complexes with copper from the surface of Cu2S deposited onto the insulating material, said chelating agent containing free electrons capable of forming a complexation with Cu, being at least a bidentate, but preferably a multidentate, i.e. being able of forming complexes with Cu from more than one point in the chelating agent, and having a solubility in the non-polar solvent of at least 0,05mol/L to allow ex- traction of copper by solvation of the formed copper-chelating complex;and optionally additional components; subjecting the insulating material to the solution, preferably at a temperature of 30-130 °C,more preferably 50-90°C, for a predetermined time period, preferably 1 to 15 days, more preferably 3 to 7 days; and removing the chemical treatment solution from the insulating material. La présente invention se rapporte à un procédé permettant de supprimer du sulfure de cuivre (Cu2S) déposé sur des matériaux électroisolants de composants agencés dans un appareil électrique, tel qu'un transformateur ou une traversée, l'huile électroisolante normalement présente ayant été sensiblement éliminée, et sur d'autres surfaces d'un tel appareil. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : utiliser une solution de traitement chimique qui comprend au moins un solvant non polaire et au moins un agent de chélation pouvant former des complexes avec du cuivre provenant de la surface de Cu2S déposé sur le matériau isolant, ledit agent de chélation contenant des électrons libres pouvant former une complexation avec le cuivre (Cu), existant sous la forme d'au moins un ligand bidentate mais, de préférence, un ligand multidentate, à savoir, pouvant former des complexes avec du cuivre (Cu) à partir de deux points ou plus dans l'agent de chélation, et présentant une solubilité dans le solvant non polaire d'au moins 0,05 mol/l afin de permettre une extraction du cuivre par solvatation du complexe cuivre-agent de chélation formé; et, facultativement, d'autres composants; soumettre le matériau isolant à la s