STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCTION OF VT-W EFFECT IN HIGH-K METAL GATE DEVICES

A substrate is provided. An STI trench is formed in the substrate. A fill material is formed in the STI trench and then planarized. The substrate is exposed to an oxidizing ambient, growing a liner at a bottom and sidewalls of the STI trench. The liner reduces the Vt-W effect in high-k metal gate devices. La présente invention se rapporte à un substrat. Une tranchée STI est formée dans le substrat. Un matériau de remplissage est formé dans la tranchée STI et est ensuite planarisé. Le substrat est exposé à une atmosphère oxydante, ce qui permet de développer un revêtement au niveau de la partie inférieure et des parois latérales de la tranchée STI. Le revêtement réduit l'effet Vt-W dans les dispositifs de grille métallique à constante diélectrique (k) élevée.