METHOD FOR PRODUCING A SILICON SOLAR CELL

Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit in einer Oberfläche eines Silizium-Substrats durch Dotierung erzeugtem Emitter und auf dem Emitter lokal vorgesehenen Metallkontaktbereichen, wobei ein Dotierstoff-Quellmaterial flächig auf die Substratoberfläche aufgeschichtet und ein erster Dotierstoff-Eintreibschritt ausgeführt und danach die Schicht des Dotierstoff-Quellmaterials gemäß den vorgesehenen Metallkontaktbereichen strukturiert und im strukturierten Zustand ein zweiter Dotierstoff-Eintreibschritt ausgeführt wird, wobei zur Passivierung des Emitters ein im zweiten Dotierstoff-Eintreibschritt ausgebildete Oxidschicht mindestens mit einem Teil ihrer Dicke auf dem Emitter belassen und auf das verbliebene Oxid eine Nitridschicht aufgebracht wird. Method for producing a silicon solar cell comprising an emitter produced in a surface of a silicon substrate by doping, and comprising metal contact regions locally provided on the emitter, wherein a dopant source material is stacked areally onto the substrate surface and a first dopant drive-in step is performed and then the layer of the dopant source material is structured in accordance with the metal contact regions provided and a second dopant drive-in step is performed in the structured state, wherein, for passivating the emitter, an oxide layer formed in the second dopant drive-in step is left at least with part of its thickness on the emitter and a nitride layer is applied to the residual oxide. Procédé de fabrication d'une cellule solaire en silicium pourvue d'un émetteur créé par dopage dans une surface d'un substrat en silicium et de zones de contact métallique localement aménagées sur ledit émetteur, un matériau gonflant à dopant étant étendu de façon à entièrement recouvrir ladite surface de substrat et une première étape d'introduction de dopant étant réalisée pour ensuite structurer la couche de matériau gonflant à dopant selon les zones de contact métallique que l'on envisage d'aménager et, une fois la structuration terminée, une deuxième étape d'introduction de dopant étant réalisée en conservant sur l'émetteur au moins une partie de l'épaisseur d'une couche d'oxyde formée durant la deuxième étape d'introduction de dopant pour ainsi passiver ledit émetteur, et une couche de nitrure étant appliquée sur l'oxyde conservé.