ALIGNMENT MARKS TO ENABLE 3D INTEGRATION

A method of forming alignment marks in three dimensional (3D) structures and corresponding structures are disclosed. The method includes forming apertures (126) in a first surface of a first semiconductor substrate; joining the first surface of the first semiconductor substrate to a first surface of a second semiconductor substrate; thinning the first semiconductor on a second surface of the first semiconductor substrate to provide optical contrast between the apertures and the first semiconductor substrate (116); and aligning a feature on the second surface of the first semiconductor substrate using the apertures as at least one alignment mark. L'invention porte sur un procédé de formation de marques d'alignement dans des structures en trois dimensions (3D) et sur des structures correspondantes. Le procédé consiste à la formation d'ouvertures (126) dans une première surface d'un premier substrat semi-conducteur ; la réunion de la première surface du premier substrat semi-conducteur à une première surface d'un second substrat semi-conducteur ; l'amincissement du premier semi-conducteur sur une seconde surface du premier substrat semi-conducteur afin de produire un contraste optique entre les ouvertures et le premier substrat semi-conducteur (116) ; et l'alignement d'un élément sur la seconde surface du premier substrat semi-conducteur à l'aide des ouvertures en tant qu'au moins une marque d'alignement.