A REDUNDANCY MEMORY STORAGE SYSTEM AND A METHOD FOR CONTROLLING A REDUNDANCY MEMORY STORAGE SYSTEM
A memory system is provided, including a first memory ( 110 ) comprising a plurality of bitcells configured to store data, and a second memory ( 120 ), configured to store an index of the data stored at a corresponding location in the first memory and further configured to store repair information,...
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| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | A memory system is provided, including a first memory ( 110 ) comprising a plurality of bitcells configured to store data, and a second memory ( 120 ), configured to store an index of the data stored at a corresponding location in the first memory and further configured to store repair information, wherein th repair information indicates a bitcell error at the corresponding location in the first memory.
L'invention concerne un système de mémoire, comprenant une première mémoire (110) comportant une pluralité de cellules binaires configurées pour stocker des données, ainsi qu'une deuxième mémoire (120), configurée pour stocker un index des données stockées à un emplacement correspondant dans la première mémoire et configurée en outre pour stocker des informations de réparation, lesdites informations de réparation indiquant une erreur de cellule binaire à l'emplacement correspondant dans la première mémoire. |
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