BIPOLAR DIODE HAVING AN OPTICAL QUANTUM STRUCTURE ABSORBER

Es wird eine neuartige Silizium-basierte, einstufige So!arzelle vorgeschlagen, die anstelle der Lichtumwandlung im inneren eines aus der Schmelze gezogenen Halbleitermaterials die Stromerzeugung innerhalb einer sehr dünnen aufgebrachten Quantenstruktur nutzt. Dabei besteht die Schichtfolge selbst als aktiver Absorber aus einer dreifachen Heterostruktur, die in die Raumladungszone eines pn-Übergangs eingebettet ist und quantenmechanische Effekte nutzt. Dabei wird die Schicht vorzugsweise mittels eines CVD- oder ähnlichen Verfahrens aufgebracht. Es konnten an kleinen Mustern auf Silizium Wirkungsgrade von über 30% gemessen werden. The invention relates a novel silicon-based, single-stage solar cell which, instead of the conversion of light in the interior of a semiconductor material drawn from the melt, uses the generation of power within a very thin quantum structure that is applied. The layer sequence itself, as an active absorber, consists of a three-fold hetero structure, which is embedded in the space charge region of a pn junction and uses quantum-mechanical effects. The layer is preferably applied by means of a CVD or similar method. It was possible to measure efficiencies of greater than 30% on small samples on silicon. L'invention concerne une nouvelle cellule solaire à un étage à base de silicium qui utilise la production de courant à l'intérieur d'une structure quantique appliquée en couche très mince en lieu et place de la conversion de lumière à l'intérieur d'un matériau semi-conducteur issu de la fusion. Selon l'invention, la succession de couches est constituée, en tant qu'absorbeur actif, d'une structure hétérogène triple qui est incorporée dans la zone de charge spatiale d'une jonction p-n et utilise les effets de la mécanique quantique. Selon l'invention, la couche est de préférence appliquée au moyen d'un procédé CDV ou similaire. On a pu mesurer sur de petits motifs sur le silicium des rendements de plus de 30 %.